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硅片表面的沾污有哪些？会造成什么不良影响？

发布时间：2024-06-07 06:20:29

推荐参考答案 ( 由题搜搜官方老师解答 )

答案：【计分规则】: （1）颗粒：引起电路开路或短路。半导体制造中，可接受的颗粒尺寸的粗略法则是它必须小于器件特征尺寸的一半。（2）金属杂质：导致器件成品率下降。典型金属杂质是碱金属。主要来源是离子注入和化学品与传输管道/容器的反应。钠是最普遍的可动离子沾污，人是主要的传送者。（3）有机物沾污：使硅片表面清洗不彻底，降低栅氧层的致密性。（4）自然氧化层：暴露于室温下空气中或含溶解氧的去离子水中硅片表面将被氧化。危害：自然氧化层的存在将增加接触电阻，还将阻碍其它工艺步骤如硅片上单晶薄膜、超薄栅氧化层生长的进行。（5）静电释放：两种不同静电势的材料接触或摩擦会产生静电释放。危害：①静电释放可能成为栅氧层击穿的诱因； ②电荷积累产生电场会吸引带点颗粒或极化并吸引中性颗粒到硅片。