HEMT研究的最新进展;
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发布时间：2025-11-14 10:24:23
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答案：答: 主要是以氮化镓(GaN)为代表的宽禁带半导体材料。(1)AlGaN/GaN HEMT。ALGaN/GaN异质结具有较大的导带不连续性,因此ALGaN/GaN在高温、高频、大功率器件方面有很好的应用前景。(2)微波功率AlGaN/GaN HEMT。(3)蓝宝石上高电子迁移率AlGaN/GaN材料(4)栅脉冲下AlGaN/GaN HEMT
